TIEMPO DE REFRESCO O LATENCIA: Tiempo que necesita el procesador para acceder a todas las direcciones de memoria para actualizar su contenido y no perderlo. Un ciclo de refresco de memoria puede emplear varios ciclos del microprocesador. El tiempo que se consume durante la preparación inicial necesaria para localizar la dirección de memoria se conoce como latencia.
TIEMPO DE ACCESO: El tiempo que tarda la memoria en colocarse en la posición necesaria es relativamente pequeño, sin embargo son tantos los datos e instrucciones que se almacenan en la memoria, que al final el proceso puede llegar a hacerse lento; se mide en nanosegundos (10-9 s) .
BUFFER: Es la parte de la memoria RAM que utiliza el sistema operativo o algún software para realizar un trabajo o proceso más rápido. El buffer en una computadora, es el proceso que realiza el hardware o el software para realizar algún trabajo más rápidamente sin necesidad de recurrir a la lectura o escritura.
PRIORIDAD: Se trata de una técnica empleada también en las comunicaciones serie y que persigue garantizar la integridad de los datos. Consiste en añadir a la memoria un bit adicional (el bit de paridad) por cada x número de bits de datos. Así es posible comprobar si hay algún error en la información.
ESTRUCTURA FISICA: La memoria está compuesta por un determinado número de celdas, capaces de almacenar un dato o una instrucción y colocadas en forma de tablero de ajedrez. En lugar de tener 64 posibles posiciones donde colocar piezas, tienen n posiciones. No solo existe un "tablero" sino que existen varios, de esta forma la estructura queda en forma de tablero de ajedrez tridimensional.
PORQUE ES VOLATIL: Porque todo lo que había almacenado en la memoria RAM se pierde al apagarlo o desconectar la batería.
PORQUE ES ALEATORIA: Es aleatoria porque se puede acceder a cualquier byte de memoria sin acceder a los bytes precedentes.
COMO SE ALMACENA LA INFORMACION: La memoria RAM se compone de un transistor y de un condensador. El transistor funciona igual que un interruptor dejando pasar el BIT de información y cambiando el estado del condensador de uno(1) a cero(0). Uno (1) significa prendido y cero (0) significa apagado. La memoria almacena la información sin orden alguno por lo cual se le llama de acceso aleatorio.
TIPOS DE MEMORIA: Son dos: síncronas y asíncrona (Síncronas: que están en sincronía con el procesador, Asíncronas: que no están sincronizadas con el procesador.)
MODULOS DE LA MEMORIA RAM:(DIP, SIPP, SIMM, DIMM, RIMM)
• DIP: Encapsulados en plásticos y cerámica Modelo más antiguo Se instalaba directamente sobre zócalos o soldados
• SIPP: Consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se montan varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa (de ahí su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador, y proporciona 8 bits por módulo
• SIMM: Formato para módulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito.
• DIMM: Son módulos de memoria RAM utilizados en ordenadores personales. Se trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base.
• RIMM: Cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del módulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz.
MODULOS PARA PORTATILES:(SO-DIMM, MICRODIMM, SO-RIMM)
• SO-DIMM: Consisten en una versión compacta de los módulos DIMM convencionales, cuentan con 144 contactos y tienen un tamaño de aproximadamente la mitad de un módulo SIMM.
• MICRODIMM: Es el más pequeño de la familia DIMM, tiene 214 pines.
SO-RIMM Está diseñado exclusivamente para computadores portátiles ya que sus módulos son mas compactos que la de la RIMM.
MEMORIAS ASINCRONICAS
DRAM: Memoria dinámica de acceso aleatorio, utilizada principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos como memoria principal del sistema, es dinámica pues para mantener almacenado un dato, se debe revisar el mismo y recargarlo cada cierto periodo, en un ciclo de refresco para que la información no se desvanezca.
FPM-RAM: Implantada en modo de direccionamiento en la que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generarlas todas las direcciones, alcanzando velocidades de hasta 60ns.
2 MODULOS MEMORIA FPM-RAM DE 72 CONTACTOS. CAPACIDAD TOTAL 8 MB
DEBO-RAM:(nunca salió al mercado): Permite transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, aunque no de forma continua, sino a ráfagas reduciendo los tiempos de espera del procesador; aunque sin conseguir eliminarlos todos.
•Tecnología opcional; se trata de una memoria EDO RAM que mejora su velocidad gracias al acceso sin latencias a direcciones contiguas de memoria.
MEMORIAS SINCRONAS
SDR SDRAM: Memoria dinámica que tiene tiempos de acceso entre 25 y 10ns, presentada en módulos DIMM de 168 contactos.
las SDRAM el cambio de estado tiene lugar en el momento señalado por una señal de reloj y, por lo tanto, está sincronizada con el bus de sistema del ordenador. El reloj también permite controlar una máquina de estados finitos interna que controla la función de "pipeline" de las instrucciones de entrada. Esto permite que el chip tenga un patrón de operación más complejo que la DRAM asíncrona, que no tiene una interfaz de sincronización.
PC66: Refiere al estándar desprendible interno de la memoria del computador, definido por el JEDEC .pc66 es funcionamiento síncrono de la copita en una frecuencia de reloj de 66 megaciclos; en un autobús de 64bit.esta memoria funciona en un rendimiento de procesamiento teórico de 533MB/s.
PC100:Se refiere a la DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 100 MHz, en un bus de 64 bits de ancho, a una tensión de 3,3 V. PC100 está disponible en 168-pin DIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma . PC100 es compatible con PC66 y fue reemplazado por elPC133 estándar.
PC133: Se refiere a copita síncrona funcionando en una frecuencia de reloj de 133 megaciclos en un autobús pedacito-ancho 64bit, es un estándar más rápido que entrega una anchura de banda 1064 MB/s.
DDR SDRAM: Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos en el caso de ordenador de escritorio y en módulos de 144 contactos para los ordenadores portátiles
PC1600 o DDR200:Mantiene una velocidad de 100 MHz, EL TIEMPO ENTRE SEÑALES ES DE 10 Ns, la velocidad del reloj es de 100 MHz, la transferencia de datos por segundo es de 200 millones, la capacidad de transferencia es de 1600MB/s
PC2100 O DDR266:Mantiene una velocidad de 133 MHz, EL TIEMPO ENTRE SEÑALES ES DE 7.5 Ns, la velocidad del reloj es de 133 MHz, la transferencia de datos por segundo es de 266 millones, la capacidad de transferencia es de 2133 MB/s. 184 contactos y con módulos DIMMs.
PC 2700 O DDR333:Mantiene una velocidad de 166 MHz, EL TIEMPO ENTRE SEÑALES ES DE 6 Ns, la velocidad del reloj es de 166 MHz, la transferencia de datos por segundo es de 337.5 millones, la capacidad de transferencia es de 2667MB/s. con 184 contactos y módulos DIMMs.
PC 3200 o DDR400:Mantiene una velocidad de 200 MHz, EL TIEMPO ENTRE SEÑALES ES DE 5 Ns, la velocidad del reloj es de 200 MHz, la transferencia de datos por segundo es de 400 millones, la capacidad de transferencia es de 3200 MB/s. con 184 contactos y módulos DIMMs.
PC4200 o DDR2 533:Mantiene una velocidad de 266 MHz, EL TIEMPO ENTRE SEÑALES ES DE 3.7 Ns, la velocidad del reloj es de 266 MHz, la transferencia de datos por segundo es de 533 millones, la capacidad de transferencia es de 4264 MB/s. con 240 contactos y módulos DIMMs.
PC~4800 o DDR2~600:La memoria del reloj 200 MHz, el tiempo del ciclo 5 ns, velocidad de datos 6400 MB/s, con 240 contactos y con módulos DIMMs.
PC 5300 O DDR2-667:Mantiene una velocidad de 166 MHz, EL TIEMPO ENTRE SEÑALES ES DE 6 Ns, la velocidad del reloj es de 333 MHz, la transferencia de datos por segundo es de 666 millones, la capacidad de transferencia es de 5333MB/s.
PC6400O DDR2 800:Su reloj trabaja a 200MHz, su tiempo entre señales es de 5ns, transfiere 800 millones de datos por segundo.
DDR3:Forma parte de las SDRAM, esta memoria tiene capacidad para hacer transferencias hasta 4 veces más rápido que una DDR2.
RDRAM :Es un tipo de memoria dinámica RAM.
La primera placa madre para PC con soporte para RDRAM, fue lanzada en el año 1999. En esta computadora, la memoria RDRAM operaba a 400 MHz, con una velocidad de 1600 MB/s, sobre un bus de 16 bits y un factor RIMM de 184 pines. Esto fue considerablemente más rápido que las previas PC-133 SDRAM, que operaban a 133 MHz con 1066 MB/s.
Las RDRAM también se utilizan en varias consolas para videojuegos, comenzando en 1996 con la Nintendo 64. En tanto, Sony utiliza RDRAM en las Playstation 2.
XDR DRAM:Es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambus RDRAM . XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño así como en GPUs de alto rendimiento
XDR, también se centra en el ancho de banda soportado pos sus pines, lo que puede beneficiar considerablemente los costos de control en la producción de PCB, esto es debido a que se necesitarían menos caminos (lanes) para la misma cantidad de ancho de banda.
XDR2 DRAM :Está diseñado para ser utilizado en la gama alta de tarjetas gráficas y equipos de red.
DR DRAM:Es una memoria de bus de los bits que operan a velocidades de reloj de 400 MHz y funciona con ambos flancos ascendentes.
SLDRAM:(velocidad de 200MHz) esta memoria fue diseñada para tener mejor rendimiento; corriendo en un bus de 64 bits.
SRAM:Static Random Access Memory (Memoria Estática de Acceso Aleatorio).
es dinámica, estándar no requiere ciclos de recarga de las celdas para datos.
ASYNC SRAM:La antigua caché de los 386, 486 y primeros Pentium, más rápida que la DRAM pero que provoca igualmente estados de espera en el procesador. Su velocidad es de 20 ns, 15 ns 0 12 ns y son independientes de la frecuencia de reloj.
PIPELINED SRAM: Funciona de manera continuada sincronizada con el procesador a velocidades de hasta 133 MHz. Tarda un poco más en cargar los datos que la anterior, pero una vez cargados, el procesador puede acceder a ellos con más rapidez. Su velocidad es de 4.5 ns a 8 ns.
EDRAM:Significa DRAM integrado. Basado en un condensador de memoria de acceso aleatorio. Tiempo de 35 ns, tiempo de lectura aleatoria de 15 nanosegundos.
ESDRAM:Tipo de memoria que funciona a 133MHz y alcanza una transferencia de hasta 1.6 GB/s
VRAM:( Video ram) Es una memoria DRAM y DIMM diseñado especificamente para su uso en las tarjetas graficas.Es más rápido que la DRAM convencional. A diferencia de la DRAM, se le permite leer y escribir al mismo tiempo. Su frecuencia es de 80 MHz y tiempo de acceso es de 20-25 ns
SGRAM:Es un tipo especializado de SDRAM para adaptadores gráficos. Agrega mejoras como bit masking.
WRAM:Es una tarjeta de video que soporta dos puertos. Permite leer y escribir información de la memoria al mismo tiempo, como en la VRAM, pero está optimizada para la presentación de un gran número de colores y para altas resoluciones de pantalla.
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